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氮化硅陶瓷性能优异,然而由于其共价键较强,自扩散系数小,烧结难度较大。目前高性能氮化硅陶瓷主要通过高温气压烧结法制备,烧结温度在1 800 ℃以上,对设备要求较高,制备成本也较高,限制了氮化硅陶瓷的实际应用。
2024-08-19
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